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Les matériaux semi-conducteurs de gallium Arsenide (GAAS) ont une mobilité électronique à haute mobilité d'électrons (environ 5,7 fois celle de silicium) et une structure d'écart de bande large par rapport aux matériaux de silicium traditionnels. En Savoir Plus »
Le matériau cible de pulvérisation en métal de haute pureté est principalement utilisé dans la fabrication de plaquettes et le processus d'emballage avancé. En Savoir Plus »
Dans la douille de la lampe fluorescente près du phénomène de noircissement commun, qui est l'exemple le plus admiré, celui-ci est dû à l'électrode de lampe fluorescente est pulvérisée et attachée à la formation environnante. En Savoir Plus »
Nickel Plus 7WT% Vanadium (NIV7) est l'un des alliages de pulvérisation de pulvérisation de film mince le plus important dans le domaine des semi-conducteurs. Il comporte les propriétés chimiques, électriques et optiques souhaitables des Ni pures, avec l'avantage supplémentaire de ne pas être ferromagnétique. En Savoir Plus »
Les lunettes de chalcogénure sont fabriquées à partir de mélange des éléments de chalcogène: soufre (s), sélénium (SE) et Tellurium (TE). L'ajout d'autres éléments, tels que l'arsenic, le germanium et l'antimoine établir la réticulation entre les chaînes de chalcogènes pour faciliter la formation de verre stable. En Savoir Plus »
L'arsénide du cadmium est un composé chimique de cadmium et d'arsenic. Il s'agit d'un semi-conducteur et est utilisé dans des détecteurs infrarouges, des capteurs de pression, des magnétorésistors et des photodétecteurs. En Savoir Plus »
Le séléniure de zinc oxyde de manière significative à 300 ° C, présente une déformation plastique à environ 500 ° C et se dissocie d'environ 700 ° C. Pour la sécurité, les fenêtres de séléniure de zinc ne doivent pas être utilisées au-dessus de 250 ° C dans une atmosphère normale. En Savoir Plus »
La pulvérisation de magnétrons, comme une méthode très efficace pour le dépôt de film mince, a été largement appliquée dans de nombreux domaines, en particulier dans les domaines de la microélectronique, du film mince optique et du traitement de surface de matériau, pour la préparation de dépôt mince de film et de revêtement de surface. En Savoir Plus »
Ces dernières années, les films fonctionnels de substrats de polymères ont été de plus en plus utilisés dans divers domaines, en particulier pour les films avec des fonctions optiques. Les films polymères (tels que PET, PC, PMMA, PVC, TAC, etc.) ont d'excellentes propriétés optiques et physiques et mécaniques. En Savoir Plus »
L'arsénide de gallium (GaAs) est un composé construit à partir des éléments gallium et arsenic. Il est souvent appelé composé III-V, car le gallium et l'arsenic sont dans le groupe III et V Groupe de la table périodique, respectivement. En Savoir Plus »
Le désélénage du molybdène (mose2) est un composé inorganique de molybdène et de sélénium. Sa structure est similaire à celle de MOS2. Les composés de cette catégorie sont appelés dichalcogénides métalliques de transition, Abrévied TMDC. En Savoir Plus »
Cuivre Indium Gallium Selenidecopper Indium Gallium (Di) Séléniure (CIGS) est un matériau semi-conducteur I-III-VI2 composé de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Le matériau est une solution solide de séléniure d'indium en cuivre (souvent abrégée \"cis \") et de séléniure de gallium de cuivre. En Savoir Plus »
La cible de pulvérisation de l'ITO et ses dérivés, tels que le film ITO et le verre ITO, sont largement utilisés dans toutes les promenades de la vie. Les cibles sont couramment utilisées pour effectuer des revêtements conducteurs transparents pour les écrans à cristaux liquides (LCD), les écrans de panneau plat, les affichages à plasma et la touche. Panneaux. En Savoir Plus »
La pulvérisation de pulvérisation est l'utilisation de la cible de pulvérisation solide à haute vitesse d'ion à haute vitesse, de sorte que les molécules de surface éclaboussent et projetées sur le substrat pour former un film. L'énergie cinétique initiale de l'ion de pulvérisation est d'environ 100 ev.a le gaz plasma commun est l'argon. En Savoir Plus »
La pulvérisation de pulvérisation est un mécanisme de dépôt de vapeur physique (PVD) dans lequel les atomes sont éjectés de la surface d'un matériau lorsque cette surface est bloquée par des particules d'énergie suffisamment élevées. En Savoir Plus »
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