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TI3SIC2 Target de frittage

TI3SIC2 est un cristal hexagonal, composé de couche SI plane connectée par TI C octaènedron pour former une structure en couches.
TI3SIC2 comme métal a un excellent conducteur thermique, facile à traiter, relativement \"doux \", non sensible au choc thermique, comme la céramique avec une bonne résistance à l'oxydation, le plus important est toujours maintenu une résistance élevée à haute température. Ti3SiC2 intègre les caractéristiques de céramique et de métal, un module élastique élevé, point de fusion élevé et une stabilité à haute température refléter les propriétés des céramiques similaires;
Personnage:
Densité: 4,64g / cm2,
Résistance: ~ 10Ω
Pas de différence de couleur, pas de taches.

ZRS2 Poudre, 99,9%, -100Mesh

le disulfure de Zirconium (ZrS2) a une structure en couches et il appartient au groupe IV dichalcogénures de métaux de transition (TMDCs). ZRS2 est thermodynamiquement stable, respectueux de l'environnement avec une sensibilité élevée et une production à faible coût. Les monocouches ZRS2 ont exposé des caractéristiques de transport de type N évidentes avec une mobilité relativement élevée.

Applications:
ZRS2 est un matériau prometteur pour l'optoélectronique en raison de sa plus grande mobilité de support à la température ambiante et de la densité de courant plus élevée que MOS2, souhaitable pour les dispositifs à faible consommation. Avec un bandage indirect autour de 1,7 EV et une bande passante directe autour de 2,0 EV pour la monocouche, ZRS2 trouve des applications dans des thermoélectriques, des cellules solaires Schottky, des photodétecteurs, des FET et une production d'hydrogène catalytique.
Les nanomatériaux 2D ZRS2 ont une mobilité électrique élevée, c'est-à-dire 1200 cm2 / vs, qui est plus tham trois fois plus grande que celle du MOS2 largement étudié (340 cm2 / vs). Les périphériques FET basés sur ZRS2 ont une sensibilité électronique supérieure et d'excellentes propriétés semi-conductrices. Les calculs ont montré que les transistors à base de mélnine à base de tunnels à base de ZRS2 (TFETS) peuvent avoir des densités de courant de la feuille allant jusqu'à 800 μA / μm (100 fois supérieures à celles de MOS2), donnant la montée du potentiel d'application élevé dans des dispositifs à faible puissance.

Target pulvérisée Izo, 99,9%

Nom du produit: cibles de pulvérisation d'oxyde de zinc d'indium (IZO)
Formule: IZO (IN2O3 / ZNO, 90/10% en poids)
Pureté: 99,9%
Forme: Objectifs rectangs, fabriqué sur mesure
Taille: 249.6 * 125 * 6mm

La cible en céramique IZO (99,99% en pureté et densité) comprend 90% en poids de LN2O3 et 10% en poids de Zno. Le système de pulvérisation de magnétron du courant continu (DC) est utilisé pour le dépôt de film. Sans / avec la technique de dépôt assisté par ions (ION), les propriétés électriques, optiques et structurelles de ces films préparées par différentes puissances CC (telles que 50 W, 80 W et 100 W) sont une condition de dépôt IZO optimale qui est Développé pour les applications flexibles de l'émetteur d'éclairage organique (OLED).

Poudre de carbure de hafnium

Matériau en poudre de carbure de hafnium, de formule moléculaire HFC, type de cristal cubique de type de sodium, poudre gris-noir, point de fusion 3890, la densité théorique 12,7 g / cm3, conductivité thermique est de 6,28 【W (m · k) -1】 (20 ℃), résistivité du volume 1.95 * 10-4Ω · cm (2900), coefficient de dilatation thermique 6.73 * 10-6 / ℃, la résistivité de 40 ~ 50 / μΩ · cm, module élastique 35,9 * 103mpa, résistance à la compression 1380mpa. Très approprié pour les buses de fusée, qui peuvent être utilisées comme cônes de nez de roquettes d'espace de ré-entrée. Utilisé en céramique et autres industries.
Procédé de pulvérisation magnétraire pour la préparation d'un revêtement composite d'oxyde d'étain argenté
Notre société a développé une méthode de pulvérisation magnétraire pour la préparation d'un revêtement composite d'oxyde d'étain argenté.Utilisation de la pulvérisation de magnétron était la technologie de pulvérisation de pulvérisation, sur la base de l'optimisation de la zone de transition d'interface à gradient à membrane et de la commande de paramètre de processus sédimentaire et de la coordination, faites le composite d'oxyde d'étain argenté. Le revêtement peut être réalisé dans le processus de sous-sol sédimentaire et en combinaison avec le revêtement solide, et peut être libéré en temps voulu dans le processus de contrainte de revêtement de dépôt, assurer la croissance continue du revêtement d'oxyde d'étain préparé par cette méthode. A une bonne résistance au contact et une bonne rugosité de surface, et l'oxyde d'étain nano-dimensionné est uniformément réparties dans la matrice d'argent, ce qui peut améliorer considérablement la résistance et la durée de vie d'ARC ablatif par rapport au processus traditionnel. Cette méthode d'invention a moins de procédure de travail, une efficacité élevée , protection de l'environnement vert, fonctionnement simple d'équipement et bon Perspective d'application industrielle.
Un film composite de métal / oxyde noble avec des propriétés catalytiques et une méthode de préparation de celui-ci
Notre société a développé avec succès une sorte de membrane composite métallique / oxyde précieuse avec des propriétés catalytiques et sa méthode de préparation, la méthode est préparée par la technique de pulvérisation magnétrienne Première préparation contenant des métaux précieux, système de pseudo-alliages de métaux précieux, atmosphère auxiliaire, traitement de recuit ultérieur, préparation de précieux Membrane composite en métal / oxyde avec des propriétés catalytiques.Ce processus respectueux de l'environnement, simple, sans recours à un réactif chimique toxique et nocif, le sous-sol n'a pas d'exigences particulières, la performance catalytique de deux étapes, l'adhésion du film de film composé fort, dans la redox La réaction, la source d'énergie chimique, la dégradation des polluants, les dispositifs optoélectroniques et d'autres domaines ont un bon potentiel et des perspectives d'application, car l'application industrielle de la membrane catalytique fournit une nouvelle pensée de technologie universelle.

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