Le sulfure de zinc est un composé inorganique avec la formule chimique Zns. C'est la principale forme de zinc dans la nature et le zinc existe principalement sous la forme de la sphalerite minérale. En Savoir Plus »

Le telluride du plomb est un composé de plomb et de Tellurium (PBTE). Il cristallise dans la structure cristalline NaCl avec des atomes de PB occupant la cation et la formation du réseau anionique. C'est un semi-conducteur d'écart étroit avec un écart de bande de 0,32 EV. Il survient naturellement comme l'altaïte minérale. En Savoir Plus »

Disulfure de molybdène [Le sulfure de molybdène (IV), MOS2] est un composé inorganique qui existe dans la nature dans la molybdenite minérale. Ses cristaux ont une structure en couches hexagonales. En Savoir Plus »

Le désobéniure de niobium ou le noiobium (IV) Le séléniure est un dichalcogénure de métal de transition en couches avec formule NbSe2. Le désellénide de niobium est un lubrifiant et un supraconducteur à des températures inférieures à 7,2 k présentant une onde de densité de charge (CDW) En Savoir Plus »

Le telluride de zinc de cadmium, (CDZNTE) ou CZT, est un composé de cadmium, de zinc et de tellure ou, plus strictement parlant, un alliage de telluride de cadmium et de zinc telluride. Un semi-conducteur de bande passante directe. En Savoir Plus »

L'antimoine Telluride Telluride Telluride est un composé inorganique avec la formule chimique SB2TE3. Comme c'est vrai des autres matériaux en couches de chalcogénure de pnictogène, il s'agit d'un solide cristallin gris à structure en couches. Les couches se composent de deux feuilles atomiques d'antimoine et de trois feuilles atomiques En Savoir Plus »

Le tellurure de cadmium (CDTE) est un composé cristallin stable formé de cadmium et de Tellurium. Il est principalement utilisé comme matériau semi-conducteur dans la photovoltaïque du telluride de cadmium et une fenêtre optique infrarouge. En Savoir Plus »

Gesbte (germanium-antimoine-Tellurium ou TPS) est un matériau de changement de phase du groupe de lunettes de chalcogénure utilisés dans des disques optiques réinscriptibles et des applications de mémoire de changement de phase. En Savoir Plus »

La concurrence de la batterie d'alimentation automobile fluctue plusieurs fois sous le grossièreté de la nouvelle politique de subvention financière énergétique. Les premières batteries au lithium ternaire ont frappé des piles phosphate de fer au lithium sur le \"le trône de fer \", et maintenant il se trouve à tour de rôle de piles phosphates de lithium, piles au lithium ternaires dans l'outsider. En Savoir Plus »

1. Le sélénium de Sélénide Gallium (Gase) est un groupe mono-chalcogénide post-transitionnel de groupe XIII. Comme la transition des dichalcogénides métalliques (TMDC), il s'agit d'un semi-conducteur en couches. En séléniure de gallium, chaque couche individuelle consiste en des piles liées de manière covalente avec des feuilles d'ions SE sur le dessus En Savoir Plus »

Nouveau matériau sans indiumone des applications les plus importantes d'Indium Metalas Un métal rare est de synthétiser l'oxyde d'étain d'indium. Le composé est connu pour ses propriétés optiquement transparentes et électriquement conductrices, ce qui en fait un ingrédient clé dans les matériaux à écran tactile. Mais l'indium est rare, e En Savoir Plus »

Le bismuth (III) L'oxyde est un composé important de bismuth, l'oxyde de bismuth a deux types de structure cristalline: type alpha et type bêta. Comparé à l'oxyde de bêta-bêta-bec, l'oxyde de bismuth alpha est plus stable à haute température et a une utilisation plus courante de matériaux électroniques, de thermistance, de coloration en verre, v En Savoir Plus »

L'oxyde d'indium-étain (ITO) a été largement utilisé comme matériau conducteur transparent pour divers dispositifs d'affichage. ATTENDU QUE ce matériel a des problèmes, tels que la conductivité et la flexibilité. Une conductivité élevée est nécessaire pour la responsabilité lorsque la taille du panneau devient plus grande. La flexibilité est requise En Savoir Plus »

Azo Target de pulvérisation, ou cible d'oxyde de zinc dopé en aluminium, contient l'élément d'Al, Zn et O.Purity: 99%, 99,9%, 99,99% .circulaire: diamètre <= 14 pouces, épaisseur> = 1 mm; bloc: longueur <= 32 pouces, largeur <= 12 pouces, épaisseur> = 1 mm.Chage de pureté AZO cibles de pulvérisation d'azo sont disponibles sous diverses formes En Savoir Plus »

97% al2o3 + 3% de la couche nano-céramique Tio2 a été pulvérisée à la surface de l'alliage AZ91D Magnésium par pulvérisation de plasma. La taille des particules céramiques était de 150 nm et 120 nm, et l'épaisseur de revêtement était de 50 μm ~ 100 μm. L'efficacité thermique ηq était d'environ 65%. La surface de l'échantillon est préchauffée à 100 ℃ avant la pulvérisation En Savoir Plus »