Targets-Semiconductor Matériaux de fabrication

Matériel cible

lematériel cibleest le matériau de fabrication de film mince, à l'aide du matériau cible bombardé par des particules chargées à grande vitesse, à travers un autre laser (faisceau d'ion) et une interaction de matériau cible différente pour obtenir un système de membrane différent, pour obtenir la fonction de conduction et de blocage.

Par conséquent, la cible est également appelée \"cible de pulvérisation \". Son principe de travail consiste à utiliser les ions générés par la source d'ions pour rassembler et accélérer sous vide et bombarder la surface cible avec la formation de faisceau d'ions à grande vitesse, entraînant un échange d'énergie cinétique, de sorte que les atomes de la surface du Les cible sont déposées sur la base.

Une cible est composée de \"cible vierge \" et \"fond arrière-plan \". Le blanc cible est constitué de métal de haute pureté et constitue la cible du bombardement à la vitesse haute vitesse.

La plaque arrière est connectée à la cible en blanc par procédé de soudage pour fixer la cible en blanc et la plaque arrière doit avoir une conductivité thermique.

Dépôt de film mince de cible de pulvérisation

Les dépôts de film mince sont également une étape essentielle, qui est divisée en PVD (dépôt de vapeur physique) et CVD (dépôt de vapeur chimique).

De manière générale, il peut être divisé en dépôt physique et dépôts chimiques. Les dépôts physiques font référence à l'utilisation de méthodes physiques pour convertir la source de matériau en particules gazeuses déposées sur le substrat sous conditions de vide.

Les procédés communs PVD comprennent la pulvérisation de pulvérisation (dépôt de vapeur physique DC, dépôt de vapeur physique de radiofréquence, pulvérisation magnétraire, dépôt de vapeur physique ionisé) et évaporation (évaporation sous vide, évaporation de faisceau d'électrons).

Les dépôts chimiques font référence au procédé de formation de film mince par réaction chimique de plusieurs composés de phase de gaz ou éléments contenant des éléments de film mince sur la surface du substrat.

Les méthodes CVD communes comprennent les dépôts de vapeur chimique (dépôt de vapeur chimique atmosphérique, dépôt de vapeur chimique à basse pression, dépôt de vapeur chimique métallique, dépôt de vapeur photochimique, dépôt de vapeur chimique laser) et dépôt de couche atomique (dépôt ALD peut être considéré comme une variante de dépôt chimique CVD).

Chaîne de l'industrie cible de pulvérisation

La chaîne de l'industrie cible peut être généralement considérée comme quatre parties, qui sont une purification de métal, une fabrication ciblée, un revêtement de pulvérisation et une application terminale. Une fois que le matériau cible est extrait de métal de pureté élevée et enduit par le processus de pulvérisation de pulvérisation, il est appliqué en puce, affichage à panneau plat, cellule solaire, stockage, optique et autres champs.

L'une des exigences techniques les plus strictes est la purification des métaux et le revêtement de pulvérisation de pulvérisation ces deux liaisons. La purification des métaux signifie que le métal irrégulier à travers l'électrolyse chimique, la décomposition thermique ou la cristallisation d'évaporation physique, l'électromigration, la fusion sous vide et d'autres méthodes pour obtenir un métal principal plus puissant et plus régulier.

D'une manière générale, des cellules solaires et des écrans à panneau plat nécessitent un matériau cible 4N, des copeaux de circuit intégrés nécessitent 6N matériau cible, une pureté plus élevée. (4N est de 99,99%, 6n est de 99,9999%)