Semiconducteur de troisième génération - Nitride de gallium

Le nitrure de gallium (Gan) est une sorte de matériau semi-conducteur composé d'azote et de gallium. Étant donné que sa largeur de bande de bande est supérieure à 2.2eV, elle est également connue sous le nom de matériau semi-conducteur de bande de bande large, et aussi connu sous le nom de matériau semi-conducteur de troisième génération en Chine.

Nitride de galliumet d'autres matériaux semi-conducteurs

Dans la figure ci-dessus, nous pouvons voir que le nitrure de gallium est 3 fois plus grand que le silicium de la largeur de l'espace de bande, 10 fois plus élevé dans la résistance au champ de panne, 3 fois plus rapide dans la migration à électrons saturée et 2 fois plus élevée de conductivité thermique. Certains des avantages de ces améliorations de performance sont que le nitrure de gallium est plus adapté aux dispositifs de puissance haute puissance, à haute fréquence que le silicium, tout en étant plus petit et plus dense de puissance.

Excellentes propriétés du nitrure de gallium

Grâce au matériau de nitrure de gallium lui-même, la performance exceptionnelle, fabriquée en nitrure de gallium est meilleure que la zone de puce de silicium / MOSFET et IGBT traditionnelle est plus petite, à la fois en raison de la densité de puissance de puce haute tension élevée, à haut courant, à la puissance de puce Gan. est plus grosse, donc la densité de puissance / la surface que le silicium, en raison de l'utilisation de la puce de nitrure de gallium après avoir également réduit l'environnement d'utilisation d'autres composants, les condensateurs, les composants passives tels que les inducteurs et les bobines sont beaucoup moins que le schéma à base de silicium, qui réduit en outre le volume. Par conséquent, la tête de chargement rapide du nitrure de gallium vu ce temps n'est pas seulement de petite taille, mais peut également fournir une puissance de puissance plus forte.

Quelles sont les autres applications importantes du nitrure de gallium en plus de remplissage rapide?

Les matériaux de nitrure de gallium, actuellement, il existe trois directions plus importantes, respectivement dans le domaine photoélectrique, y compris nos voyants actuels, ainsi que des capteurs Lidar et VCSL; Dans le domaine de la puissance, toutes sortes de dispositifs électroniques et électriques sont utilisés dans la tête de charge rapide, le convertisseur de fréquence, les nouveaux véhicules énergétiques, les appareils électroniques de consommation et d'autres scénarios de conversion électronique et électriques; Champ radio-fréquence, y compris la station de base 5G, le radar militaire, le satellite à faible orbite, l'aérospatiale et d'autres domaines.