Cible de pulvérisation cathodique à l'arséniure de gallium (GaAs)
Description du produit
Caractéristique
L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium et arsenic.Il s'agit d'un semi-conducteur à bande interdite directe III-V avec une structure cristalline en mélange de zinc.
Formule chimique：GaAs
Masse molaire：144,645 g/mol
Apparence：Cristaux gris
Odeur : semblable à l'ail lorsqu'il est humidifié
Densité：5.3176 g/cm3
Point de fusion ： 1 238 °C (2 260 °F; 1 511 K)
Solubilité dans l'eau, insoluble
Solubilité：soluble dans HCl
insoluble dans l'éthanol, le méthanol, l'acétone
Bande interdite：1.441 eV (à 300 K)
Mobilité électronique：9000 cm2/(V·s) (à 300 K)
Susceptibilité magnétique (χ)：-16,2×10-6cgs
Conductivité thermique : 0,56 W/(cm·K) (à 300 K)
Indice de réfraction (nD)：3.3
Structure cristalline¼š Blende de zinc
Application
L'arséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de dispositifs tels que les circuits intégrés hyperfréquences, les circuits intégrés hyperfréquences monolithiques, les diodes électroluminescentes infrarouges, les diodes laser, les cellules solaires et les fenêtres optiques.
GaAs est souvent utilisé comme matériau de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs III-V, notamment l'arséniure d'indium et de gallium, l'arséniure d'aluminium et de gallium et autres.