Granulés d'arséniure de gallium (GaAs)

Description du produit

Caractéristique


L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium et arsenic.Il s'agit d'un semi-conducteur à bande interdite directe III-V avec une structure cristalline en mélange de zinc.


Formule chimique¼šGaAs

Masse molaire 144,645 g/mol

Apparence:Cristaux gris

Odeur : semblable à l'ail lorsqu'il est humidifié

Densité:5.3176 g/cm3

Point de fusion : 1 238 °C (2 260 °F ; 1 511 K)

Solubilité dans l'eau, insoluble

Solubilité:soluble dans HCl

insoluble dans l'éthanol, le méthanol, l'acétone

Bande interdite:1.441 eV (à 300 K)

Mobilité électronique:9000 cm2/(V·s) (à 300 K)

Susceptibilité magnétique (χ):-16,2×10-6cgs

Conductivité thermique:0,56 W/(cm·K) (à 300 K)

Indice de réfraction (nD):3.3

Structure cristalline: Blende de zinc


Application


L'arséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de dispositifs tels que les circuits intégrés hyperfréquences, les circuits intégrés hyperfréquences monolithiques, les diodes électroluminescentes infrarouges, les diodes laser, les cellules solaires et les fenêtres optiques.


GaAs est souvent utilisé comme matériau de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs III-V, notamment l'arséniure d'indium et de gallium, l'arséniure d'aluminium et de gallium et autres.



FDS

Phosphure de zinc (Zn3P2)-poudre

Antimonide de gallium (GaSb) -powder

Zinc Antimoine (Zn3Sb2)-Palettes

Cible de pulvérisation de phosphure de gallium (GaP)

Antimonide cobalt (CoSb) -PEWDER

Phosphure de gallium (GaP) -Poureur

Antimoniure de gallium (GaSb)-Palettes