Poudre de phosphure d'indium (InP)

Description du produit

Caractéristique


Le phosphure d'indium (INP) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. Il a une structure cristalline cubique cubique centrée sur le visage (\"zincblende \"), identique à celle de GaAs et la plupart des semi-conducteurs III-V.


Formule chimique: INP

Molaire Mass: 145,792 g / mol

Apparence: cristaux cubes noirs

Densité: 4,81 g / cm3, solide

Point de fusion: 1,062 ° C (1 944 ° F; 1 335 K)

Solubilité: légèrement soluble dans les acides [1]

Gap de bande: 1.344 EV (300 K; Direct)

Mobilité électronique: 5400 cm2 / (v · s) (300 K)

Conductivité thermique: 0,68 W / (cm · k) (300 K)

Indice de réfraction (ND): 3.1 (infrarouge);

3.55 (632,8 nm)

Structure en cristal: Blanc de zinc


Application


INP est utilisé dans l'électronique à haute puissance et à haute fréquence en raison de sa vitesse d'électron supérieure par rapport au silicium de silicium et de gallium plus couramment des semi-conducteurs.


Il a été utilisé avec l'arsénide d'Indium Gallium pour créer un transistor bipolaire hétérojonctionnement pseudomorphique qui pourrait fonctionner à 604 GHz.


Il a également un bandage direct, ce qui la rend utile pour les appareils optoélectroniques comme des diodes laser.


INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs opto-électroniques à base d'arsénide d'apparition d'indium épitaxial.



Fléchissement

Pastilles de phosphure d'indium (InP)

Antimonide germanium (GeSb) -PEWDER

Phosphure de Cadmium (Cd3P2)-Palettes

Phosphure de cadmium (Cd3P2) -PEWDER

Antimonide de cadmium (CdSb) -Powder

Antimoniure de Germanium (GeSb)-Pellets

Antimoniure de cadmium (CdSb)-granules