Pastilles d'arséniure d'indium (InAs)

Description du produit

Caractéristique


L'arsénide d'indium, les INA ou l'indium monoarsénide est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic. Il a l'apparence de cristaux cubiques gris avec un point de fusion de 942 ° C.


Formule chimique: Inas

Masse molaire: 189.740 g / mol

Densité: 5,67 g / cm3

Point de fusion: 942 ° C (1 728 ° F; 1,215 K)

Gap de bande: 0.354 eV (300 K)

Mobilité électronique: 40000 cm2/(Vs)

Conductivité thermique: 0,27 W / (cm * k) (300 K)

Indice de réfraction (ND): 3.51

Structure en cristal: Blanc de zinc


Application


L'arsénide d'indium est utilisé pour la construction de détecteurs infrarouges, pour la plage de longueurs d'onde de 1 à 3,8 μm. Les détecteurs sont généralement des photodiodes photovoltaïques. Les détecteurs cryogéniquement refroidis ont un bruit inférieur, mais les détecteurs d'Inas peuvent également être utilisés dans des applications de puissance supérieure à la température ambiante. L'arsenide d'indium est également utilisé pour la fabrication de lasers diodes.


Fléchissement

Arséniure d'antimoine (Sb3As) - Pastilles

Antimonyide d'indium (INSB)-Granules

Plaquette d'arséniure d'indium (InAs)

Arsenide antimoine (SB3AS) -BOAT

Phosphure d'étain (SnP) -Pewder

Cible de pulvérisation d'antimoniure d'indium (InSb)

Antimoniure de plomb (PbSb) - Pastilles