Caractéristique

L'oxyde d'hafnium (IV) est le composé inorganique de formule HfO₂. Aussi connu sous le nom d'hafnie, ce solide incolore est l'un des composés les plus courants et les plus stables de l'hafnium. C'est un isolant électrique avec une bande interdite de 5,3 ~ 5,7 eV. Le dioxyde d'hafnium est un intermédiaire dans certains procédés qui donnent du métal hafnium.

Formule chimique ： HfO₂

Masse molaire ： 210,49 g / mol

Apparence: poudre blanc cassé

Densité ： 9,68 g / cm³, solide

Point de fusion ： 2,758 ° C (4,996 ° F; 3,031 K)

Point d'ébullition ： 5,400 ° C (9,750 ° F; 5,670 K)

Solubilité dans l'eau ： insoluble

Susceptibilité magnétique (χ) ： - 23,0 · 10⁻⁶cm³/ mol

Application

Hafnia est utilisé dans les revêtements optiques et comme diélectrique à high élevé dans les condensateurs DRAM et dans les dispositifs avancés à oxyde de métal et semi-conducteur.

Ces dernières années, l'oxyde d'hafnium (ainsi que l'oxyde d'hafnium dopé et déficient en oxygène) suscite un intérêt supplémentaire en tant que candidat possible pour les mémoires à commutation résistive et les transistors à effet de champ ferroélectrique compatibles CMOS (mémoire FeFET) et les puces de mémoire.

En raison de son point de fusion très élevé, l'hafnie est également utilisée comme matériau réfractaire dans l'isolation de dispositifs tels que les thermocouples, où elle peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 2500 ° C.

Des films multicouches de dioxyde d'hafnium, de silice et d'autres matériaux ont été développés pour être utilisés dans le refroidissement passif des bâtiments. Les films réfléchissent la lumière du soleil et rayonnent de la chaleur à des longueurs d'onde qui traversent l'atmosphère terrestre et peuvent avoir des températures de plusieurs degrés plus froides que les matériaux environnants dans les mêmes conditions.

HfO2_MSDS.pdf