Caractéristique

L'oxyde de hafnium (IV) est le composé inorganique avec la formule HFO₂. Également connu sous le nom de Hafnia, ce solide incolore est l'un des composés les plus courants et les plus écrits de hafnium. C'est un isolant électrique avec une bande de bande de 5,3 ~ 5,7 EV. Le dioxyde de hafnium est un intermédiaire dans certains procédés qui donnent un métal hafnium.

Formule chimique: HFO₂

Masse molaire: 210,49 g / mol

Apparence: poudre blanc cassé

Densité: 9.68 g / cm³, solide

Point de fusion: 2,758 ° C (4 996 ° F; 3,031 K)

Point d'ébullition: 5 400 ° C (9 750 ° F; 5 670 K)

Solubilité dans l'eau: insoluble

Susceptibilité magnétique (χ): - 23.0 · 10^-6cm³/ mol

Application

La Hafnia est utilisée dans des revêtements optiques et, en tant que diélectrique high-κ dans les condensateurs DRAM et dans des dispositifs avancés à semi-conducteur de métal-oxyde.

Ces dernières années, l'oxyde de hafnium (ainsi que l'oxyde hafnium dopé et l'oxygène) attire un intérêt supplémentaire comme candidat possible pour les mémoires de commutation résistives et les transistors à effet de champ ferroélectrique compatible CMOS (mémoire de FEFET) et des copeaux de mémoire.

En raison de son point de fusion très élevé, Hafnia est également utilisé comme matériau réfractaire dans l'isolation de tels dispositifs que des thermocouples, où il peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 2500 ° C.

Des films multicouches de dioxyde de hafnium, de silice et d'autres matériaux ont été développés pour une utilisation dans un refroidissement passif des bâtiments. Les films reflètent la lumière du soleil et rayonnent de chaleur à des longueurs d'onde qui traversent l'atmosphère de la Terre et peuvent avoir des températures de plusieurs degrés plus froides que les matériaux environnants dans les mêmes conditions.

Hfo2_msds.pdf