Cible de pulvérisation cathodique en siliciure de molybdène (MoSi2)
Description du produit
Caractéristique
Disiliciure de molybdène (MoSi2, ou siliciure de molybdène), un composé intermétallique, un siliciure de molybdène, est une céramique réfractaire principalement utilisée dans les éléments chauffants.Il a une densité modérée, un point de fusion de 2030 °C et est électriquement conducteur.À haute température, il forme une couche de passivation de dioxyde de silicium, le protégeant d'une oxydation supplémentaire.La stabilité thermique du MoSi2à côté de sa haute émissivité font de ce matériau, aux côtés de WSi2attrayant pour les applications en tant que revêtements à haute émissivité dans les écrans thermiques pour l'entrée dans l'atmosphère.MoSi2est un matériau gris d'aspect métallique avec une structure cristalline tétragonale (modification alpha);sa modification bêta est hexagonale et instable.
Formule chimique¼šMoSi2
Masse molaire：152,11 g/mol
Aspect： gris métallisé solide
Densité：6.26 g/cm3
Point de fusion ： 2 030 °C (3 690 °F; 2 300 K)
Structure cristalline : tétragonale
Application
Les éléments chauffants en disiliciure de molybdène peuvent être utilisés pour des températures allant jusqu'à 1800 °C, dans des fours électriques utilisés en laboratoire et en environnement de production dans la production de verre, d'acier, d'électronique, de céramique et dans le traitement thermique des matériaux.Bien que les éléments soient fragiles, ils peuvent fonctionner à haute puissance sans vieillir et leur résistivité électrique n'augmente pas avec le temps de fonctionnement.Leur température de fonctionnement maximale doit être abaissée dans des atmosphères à faible teneur en oxygène en raison de la rupture de la couche de passivation.
D'autres matériaux céramiques utilisés pour les éléments chauffants sont, par exemple, les matériaux composites en carbure de silicium, titanate de baryum et titanate de plomb.
Le disiliciure de molybdène est utilisé en microélectronique comme matériau de contact.Il est souvent utilisé comme shunt sur les lignes en polysilicium pour augmenter leur conductivité et augmenter la vitesse du signal.