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Caractéristique
Le sulfure d'étain (II) est un composé chimique d'étain et de soufre.La formule chimique est SnS.Son occurrence naturelle concerne l'herzenbergite (Î-SnS), un minéral rare.
Formule chimique¼šSnS
Masse molaire：150,775 g/mol
Apparence : solide brun foncé
Densité：5.22 g/cm3
Point de fusion ：882 °C (1 620 °F ; 1 155 K)
Point d'ébullition, environ 1230 C
Solubilité dans l'eau：Insoluble
Application
Le sulfure d'étain (II) est un candidat potentiel intéressant pour la prochaine génération de cellules solaires à couche mince.Actuellement, le tellurure de cadmium et le CIGS (sulfure de cuivre, d'indium et de gallium) sont utilisés comme couches absorbantes de type p, mais ils sont formulés à partir de constituants toxiques et rares.Le sulfure d'étain (II), en revanche, est formé à partir d'éléments bon marché et abondants en terre et n'est pas toxique.Ce matériau a également un coefficient d'absorption optique élevé, une conductivité de type p et une bande interdite directe de milieu de gamme de 1,3 à 1,4 eV, propriétés électroniques requises pour ce type de couche absorbante.Sur la base d'un calcul d'équilibre détaillé utilisant la bande interdite du matériau, l'efficacité de conversion de puissance d'une cellule solaire utilisant une couche absorbante en sulfure d'étain (II) pourrait atteindre 32 %, ce qui est comparable au silicium cristallin.Enfin, le sulfure d'étain (II) est stable à la fois dans des conditions alcalines et acides.Toutes les caractéristiques susmentionnées suggèrent que le sulfure d'étain (II) est un matériau intéressant à utiliser comme couche absorbante pour les cellules solaires.
À l'heure actuelle, les films minces de sulfure d'étain (II) destinés à être utilisés dans les cellules photovoltaïques sont encore en phase de recherche et de développement avec des rendements de conversion de puissance actuellement inférieurs à 5 %.Les obstacles à l'utilisation comprennent une faible tension de circuit ouvert et une incapacité à réaliser bon nombre des propriétés ci-dessus en raison de défis de fabrication, mais le sulfure d'étain (II) reste un matériau prometteur si ces défis techniques sont surmontés.
Caractéristique
Le sulfure d'étain (II) est un composé chimique d'étain et de soufre.La formule chimique est SnS.Son occurrence naturelle concerne l'herzenbergite (Î-SnS), un minéral rare.
Formule chimique¼šSnS
Masse molaire：150,775 g/mol
Apparence : solide brun foncé
Densité：5.22 g/cm3
Point de fusion ：882 °C (1 620 °F ; 1 155 K)
Point d'ébullition, environ 1230 C
Solubilité dans l'eau：Insoluble
Application
Le sulfure d'étain (II) est un candidat potentiel intéressant pour la prochaine génération de cellules solaires à couche mince.Actuellement, le tellurure de cadmium et le CIGS (sulfure de cuivre, d'indium et de gallium) sont utilisés comme couches absorbantes de type p, mais ils sont formulés à partir de constituants toxiques et rares.Le sulfure d'étain (II), en revanche, est formé à partir d'éléments bon marché et abondants en terre et n'est pas toxique.Ce matériau a également un coefficient d'absorption optique élevé, une conductivité de type p et une bande interdite directe de milieu de gamme de 1,3 à 1,4 eV, propriétés électroniques requises pour ce type de couche absorbante.Sur la base d'un calcul d'équilibre détaillé utilisant la bande interdite du matériau, l'efficacité de conversion de puissance d'une cellule solaire utilisant une couche absorbante en sulfure d'étain (II) pourrait atteindre 32 %, ce qui est comparable au silicium cristallin.Enfin, le sulfure d'étain (II) est stable à la fois dans des conditions alcalines et acides.Toutes les caractéristiques susmentionnées suggèrent que le sulfure d'étain (II) est un matériau intéressant à utiliser comme couche absorbante pour les cellules solaires.
À l'heure actuelle, les films minces de sulfure d'étain (II) destinés à être utilisés dans les cellules photovoltaïques sont encore en phase de recherche et de développement avec des rendements de conversion de puissance actuellement inférieurs à 5 %.Les obstacles à l'utilisation comprennent une faible tension de circuit ouvert et une incapacité à réaliser bon nombre des propriétés ci-dessus en raison de défis de fabrication, mais le sulfure d'étain (II) reste un matériau prometteur si ces défis techniques sont surmontés.
