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LES DÉTAILS DU PRODUIT

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Plaquette d'arséniure d'indium (InAs)

  • 1303-11-3

  • Ina

  • 493300wf

  • <100>

  • 4 '' / 6 ''

  • 215-115-3

  • Classe 6.1

  • UN1557

  • PG III

État de disponibilité:

Caractéristique


L'arsénide d'indium, les INA ou l'indium monoarsénide est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic. Il a l'apparence de cristaux cubiques gris avec un point de fusion de 942 ° C.


Formule chimique: Inas

Masse molaire: 189.740 g / mol

Densité: 5,67 g / cm3

Point de fusion: 942 ° C (1 728 ° F; 1,215 K)

Gap de bande: 0.354 eV (300 K)

Mobilité électronique: 40000 cm2 / (v * s)

Conductivité thermique: 0,27 W / (cm * k) (300 K)

Indice de réfraction (ND): 3.51

Structure en cristal: Blanc de zinc


Application


L'arsénide d'indium est utilisé pour la construction de détecteurs infrarouges, pour la plage de longueurs d'onde de 1 à 3,8 μm. Les détecteurs sont généralement des photodiodes photovoltaïques. Les détecteurs cryogéniquement refroidis ont un bruit inférieur, mais les détecteurs d'Inas peuvent également être utilisés dans des applications de puissance supérieure à la température ambiante. L'arsenide d'indium est également utilisé pour la fabrication de lasers diodes.


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