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25617-97-4
Gan
310700gn
99,99% -99,9999%
3 mm - 6 mm
247-129-0
Caractéristique
Le nitrure de gallium (GAN) est un semi-conducteur binaire III / V directe couramment utilisé dans des diodes électroluminescentes depuis les années 1990. Le composé est un matériau très dur qui a une structure de cristaux de wurtzite. Son vaste écart de bande de 3,4 EV offre des propriétés spéciales [clarification requises] pour les applications dans des dispositifs optoélectroniques [8] [9] de haute puissance et haute fréquence.
Formule chimique: Gan
Masse molaire: 83,730 g / mol
Apparence: poudre jaune
Densité: 6,1 g / cm3
Point de fusion:> 1600 ° C
Solubilité dans l'eau: insoluble
Gap de bande: 3.4 ev (300 k, direct)
Mobilité électronique: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Conductivité thermique: 1,3 W / (cm · k) (300 K)
Index de réfraction (ND): 2.429
Structure en cristal: Wurtzite
Application
Sa sensibilité aux rayonnements ionisants est faible (comme d'autres nitrures de groupe III), ce qui en fait un matériau approprié pour les matrices de cellules solaires pour les satellites. Les applications militaires et spatiales pourraient également bénéficier que des dispositifs ont montré une stabilité dans des environnements de rayonnement.
Étant donné que les transistors Gan peuvent fonctionner à des températures beaucoup plus élevées et fonctionnent à des tensions beaucoup plus élevées que les transistors d'arsenide de gallium (GAAS), ils font des amplificateurs de puissance idéaux aux fréquences micro-ondes. De plus, GAN offre des caractéristiques prometteuses pour les appareils THZ.
Caractéristique
Le nitrure de gallium (GAN) est un semi-conducteur binaire III / V directe couramment utilisé dans des diodes électroluminescentes depuis les années 1990. Le composé est un matériau très dur qui a une structure de cristaux de wurtzite. Son vaste écart de bande de 3,4 EV offre des propriétés spéciales [clarification requises] pour les applications dans des dispositifs optoélectroniques [8] [9] de haute puissance et haute fréquence.
Formule chimique: Gan
Masse molaire: 83,730 g / mol
Apparence: poudre jaune
Densité: 6,1 g / cm3
Point de fusion:> 1600 ° C
Solubilité dans l'eau: insoluble
Gap de bande: 3.4 ev (300 k, direct)
Mobilité électronique: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Conductivité thermique: 1,3 W / (cm · k) (300 K)
Index de réfraction (ND): 2.429
Structure en cristal: Wurtzite
Application
Sa sensibilité aux rayonnements ionisants est faible (comme d'autres nitrures de groupe III), ce qui en fait un matériau approprié pour les matrices de cellules solaires pour les satellites. Les applications militaires et spatiales pourraient également bénéficier que des dispositifs ont montré une stabilité dans des environnements de rayonnement.
Étant donné que les transistors Gan peuvent fonctionner à des températures beaucoup plus élevées et fonctionnent à des tensions beaucoup plus élevées que les transistors d'arsenide de gallium (GAAS), ils font des amplificateurs de puissance idéaux aux fréquences micro-ondes. De plus, GAN offre des caractéristiques prometteuses pour les appareils THZ.
