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1310-53-8
GeO2
320800GN
99,99%-99,999%
3 mm - 20 mm, etc.
215-180-8
Caractéristique
Le dioxyde de germanium, également appelé oxyde de germanium, germania et sel de germanium, est un composé inorganique de formule chimique GeO2.C'est la principale source commerciale de germanium.Il forme également une couche de passivation sur du germanium pur en contact avec l'oxygène atmosphérique.
Formule chimique：GeO2
Masse molaire：104.6388 g/mol
Aspect : poudre blanche ou cristaux incolores
Densité：4.228 g/cm3
Point de fusion：1 115 °C (2 039 °F; 1 388 K)
Solubilité dans l'eau 4,47 g/L (25 °C)
10,7 g/l (100 °C)
Solubilité：soluble dans HF,
insoluble dans d'autres acides et alcalis
Susceptibilité magnétique (χ)：âˆ'34.3·10-6cm3/mol
Indice de réfraction (nD)：1.650
Structure cristalline¼šhexagonale
Application
Utilisés comme matières premières pour la fabrication de germanium métallique et d'autres composés de germanium, comme catalyseurs pour la fabrication de résines de téréphtalate de polyéthylène, ainsi que pour l'analyse spectrale et les matériaux semi-conducteurs.
Caractéristique
Le dioxyde de germanium, également appelé oxyde de germanium, germania et sel de germanium, est un composé inorganique de formule chimique GeO2.C'est la principale source commerciale de germanium.Il forme également une couche de passivation sur du germanium pur en contact avec l'oxygène atmosphérique.
Formule chimique：GeO2
Masse molaire：104.6388 g/mol
Aspect : poudre blanche ou cristaux incolores
Densité：4.228 g/cm3
Point de fusion：1 115 °C (2 039 °F; 1 388 K)
Solubilité dans l'eau 4,47 g/L (25 °C)
10,7 g/l (100 °C)
Solubilité：soluble dans HF,
insoluble dans d'autres acides et alcalis
Susceptibilité magnétique (χ)：âˆ'34.3·10-6cm3/mol
Indice de réfraction (nD)：1.650
Structure cristalline¼šhexagonale
Application
Utilisés comme matières premières pour la fabrication de germanium métallique et d'autres composés de germanium, comme catalyseurs pour la fabrication de résines de téréphtalate de polyéthylène, ainsi que pour l'analyse spectrale et les matériaux semi-conducteurs.
