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12007-23-7
Hfb2
720500e
99,5%
3 pouces dia x 0,25 pouce th.etc
234-500-7
Caractéristique
Hafnium Diboride appartient à la classe de céramiques ultra-haute température, type de céramique composé de hafnium et de bore. Il a une température de fusion d'environ 3250 degrés Celsius. C'est une céramique inhabituelle, ayant des conductivités thermiques et électriques relativement élevées, des propriétés qu'il partage avec un diborure de titane isostructurel et un diborure de zirconium. C'est un matériau gris et métallique. Hafnium Diboride a une structure cristalline hexagonale, une masse molaire de 200,11 grammes par mole et une densité de 10,5 grammes par centimètre cube.
Formule chimique: HFB2
Masse molaire: 200.11 g / mol
Densité: 10,5 g / cm3
Point de fusion: ca. 3,250 ° C (5 880 ° F; 3 520 K)
Structure cristalline: hexagonale, HP3
Application
diborure de hafnium est également étudiée en tant que nouveau matériau possible pour barres de commande de réacteur nucléaire. Il est également à l'étude comme une barrière de diffusion de puce électronique. Si synthétisé correctement, la barrière peut être inférieure à 7 nm d'épaisseur.
Caractéristique
Hafnium Diboride appartient à la classe de céramiques ultra-haute température, type de céramique composé de hafnium et de bore. Il a une température de fusion d'environ 3250 degrés Celsius. C'est une céramique inhabituelle, ayant des conductivités thermiques et électriques relativement élevées, des propriétés qu'il partage avec un diborure de titane isostructurel et un diborure de zirconium. C'est un matériau gris et métallique. Hafnium Diboride a une structure cristalline hexagonale, une masse molaire de 200,11 grammes par mole et une densité de 10,5 grammes par centimètre cube.
Formule chimique: HFB2
Masse molaire: 200.11 g / mol
Densité: 10,5 g / cm3
Point de fusion: ca. 3,250 ° C (5 880 ° F; 3 520 K)
Structure cristalline: hexagonale, HP3
Application
diborure de hafnium est également étudiée en tant que nouveau matériau possible pour barres de commande de réacteur nucléaire. Il est également à l'étude comme une barrière de diffusion de puce électronique. Si synthétisé correctement, la barrière peut être inférieure à 7 nm d'épaisseur.
