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Français  |
1315-06-6
Snse
503400PC
99,999%
<12mm
215-257-6
Classe 9
UN3077
Pgiii
Caractéristique
Le séléniure d'étain, également appelé séléniure stannoïde, est un composé inorganique avec la formule (SNSE), où l'étain a un état d'oxydation de +2. L'étain (II) Le séléniure est un semi-conducteur à bande à bande étroite (IV-VI) et a reçu un intérêt considérable pour les applications, notamment des dispositifs photovoltaïques à faible coût et de commutation de mémoire.
Formule chimique: SNSE
Molaire Mass: 197,67 g / mol
Apparence: poudre sans odeur gris en acier
Densité: 6.179 g / cm3
Point de fusion: 861 ° C (1 582 ° F; 1,134 K)
Solubilité dans l'eau: négligeable
Gap de bande: 0.9 ev (indirect), 1.3 ev (direct)
Structure en cristal: orthorhombique, OP8
Application
Tin Sélénide trouve une application dans les périphériques photovoltaïques à faible coût et les dispositifs de commutation de mémoire. Il agit comme un lubrifiant à l'état solide. Il est également utilisé pour les cellules solaires et les anodes pour les batteries lithium-ion. En outre, il s'agit d'un semi-conducteur étroit de bande-gap.
Caractéristique
Le séléniure d'étain, également appelé séléniure stannoïde, est un composé inorganique avec la formule (SNSE), où l'étain a un état d'oxydation de +2. L'étain (II) Le séléniure est un semi-conducteur à bande à bande étroite (IV-VI) et a reçu un intérêt considérable pour les applications, notamment des dispositifs photovoltaïques à faible coût et de commutation de mémoire.
Formule chimique: SNSE
Molaire Mass: 197,67 g / mol
Apparence: poudre sans odeur gris en acier
Densité: 6.179 g / cm3
Point de fusion: 861 ° C (1 582 ° F; 1,134 K)
Solubilité dans l'eau: négligeable
Gap de bande: 0.9 ev (indirect), 1.3 ev (direct)
Structure en cristal: orthorhombique, OP8
Application
Tin Sélénide trouve une application dans les périphériques photovoltaïques à faible coût et les dispositifs de commutation de mémoire. Il agit comme un lubrifiant à l'état solide. Il est également utilisé pour les cellules solaires et les anodes pour les batteries lithium-ion. En outre, il s'agit d'un semi-conducteur étroit de bande-gap.
