Cible AZO （Oxyde de zinc dopé à l'alumine）

Les films minces de ZnO (AZO) dopés à l'aluminium sont déposés par un procédé de fabrication économiquement polyvalent d'électrospraying sur deux types de substrats - plaquette de verre et de silicium, à une température de substrat de 300 ° C, tension de 18 kV et distance émetteur-collecteur de 6 cm L'acétate de zinc déshydraté dissous dans un mélange d'eau désionisée, d'éthanol et d'acide acétique est utilisé pour le dépôt d'un film de ZnO non dopé, tandis que pour le dopage à l'Al, deux matériaux précurseurs sont choisis - le chlorure d'aluminium et le nitrate d'aluminium dissous dans l'éthanol. Les niveaux de dopage sont de 5 et 10% en poids et la dépendance à la concentration des propriétés des films est étudiée. Tous les films présentent une structure polycristalline avec une taille de cristallites décroissante de 21 nm pour les films non dopés à 19 nm et 17 nm pour les films d'oxyde de zinc dopé à l'alumine AZO ® dopés avec 5 et 10% en poids d'Al, respectivement. Le décalage des pics XRD des échantillons dopés vers des angles de diffraction plus élevés révèle une incorporation réussie d'Al dans le réseau ZnO. Les propriétés optiques sont étudiées par des mesures ellipsométriques et de photoluminescence. On observe une diminution de l'indice de réfraction de 1,89 pour un échantillon non dopé à 1,84 et 1,83 pour des films à 5 et 10% d'oxyde de zinc dopé à l'alumine AZO ® et une augmentation de la bande interdite optique de 3,30eV à 3,40eV. Une diminution substantielle de la résistance de feuille est mesurée pour les films AZO: 86Ω / □ et 61Ω / □ pour 5% en poids et 10% d'échantillons dopés, respectivement. Simultanément, la transmittance des films est maintenue élevée. Les valeurs moyennes dans le domaine visible pour les films d'épaisseur 200 nm sont respectivement de 86% pour les films non dopés et de 84% et 80% pour les films dopés Al à 5 ​​et 10%. Ainsi, l'applicabilité des films étudiés comme électrodes conductrices transparentes est démontrée.