Chine PV 20 ans: toutes les rivières et les lacs de vent et de nuages ​​enregistrent

Pour paraphraser l'idiome de l'examen annuel de l'industrie: \"2020 sera une année extraordinaire \" pour l'industrie polysilicon-photovoltaïque.J'ai écrit à ce sujet depuis 10 ans. D'un journaliste photovoltaïque à temps plein à un membre du personnel d'une société d'ingénierie investissant dans une industrie polysilicienne et photovoltaïque, l'industrie polysilicienne et photovoltaïque a toujours touché mes pensées au cours des 10 dernières années.Ce \"extraordinaire \" n'est pas simplement une écriture habitude ou une simple copie. Au lieu de cela, dès le début de ce siècle à la présente, le polysilicien chinois et la photovoltaïque ont connu de grands changements et des hauts et des avancés en seulement 20 ans, ce qui a pleinement condensé la piste de développement d'autres industries depuis des décennies, voire des centaines d'années.

\"Quand tous avancent, n'oublions pas la route que nous avons prise; peu importe la distance que nous allons et que notre avenir peut être brillant, nous ne devrions jamais oublier le passé et pourquoi nous avons défini. \" À l'occasion du critique jointure du\"13e plan quinquennal\" et du\"14e plan quinquennal\", debout à l'intersection de la\"deux centenaires\", en regardant le développement de l'industrie, j'espère que je Peut exécuter l'histoire avec écrit entre les gains et les pertes et accumuler la force des progrès constants de la section suivante de la route.

Pensez mémoire commémoratif, pensez souhaiter.

Origine: la naissance du photovoltaïque

(19ème siècle ~ 1960)

L'industrie de la silicium de la Chine est à ses balbutiements

Continuer à atteindre des avancées majeures

Mais à ce moment-là, le germanium avait été remplacé aux États-Unis avecCristaux de silicium unique, qui a dominé en raison de leurs propriétés et d'utilisations davantage basées sur le marché. En la Chine\"12 ans de vision de développement de la science et de développement de la technologie \", la recherche et le développement deSilicon Single Crystala été classé en 1968, 10 ans plus tard, ce qui signifie que la Chine sera à la traîne derrière des pays étrangers dans ce domaine pendant au moins 10 ans!

Comme mentionné ci-dessus, le silicium, un élément abondant dans la croûte terrestre, une fois développé avec succès, purifié et utilisé, peut être préparé dans d'importants matériaux à semi-conducteurs, qui auront des perspectives générales dans la préparation de transistors et de chips de circuit intégrés. afin d'améliorer la vie de la vie et du mouvement des électrons, les chercheurs ont converti la structure polycristalline du matériau en unemonocristalStructure, cette culture artificielle de matériaux cristallins est appelée la technologie de croissance unique en cristal.

En 1959, afin de rattraper le rythme de la recherche et du développement de la technologie étrangère, sous la direction de Lanying et al., La Chine a commencé la production et la recherche desiliciumcristal à l'avance du temps prévu.

Cependant, dans la nouvelle Chine, l'argon, le gaz de protection le plus nécessaire pour la fabricationSilicon Single Cristauxest extrêmement rare.Argon est un gaz inerte important.Don l'ordre d'empêcher les oxydes et autres impuretés de contaminer la tiréemonocristalPendant le chauffage à haute température et affectant ainsi la qualité du monocristal, l'argon est utilisé comme gaz de protection dans le four en cours de préparationUn seul cristal de silicium.Argon a été banni à l'époque et la Chine ne pouvait pas le produire elle-même. Sans argon, le développement deSilicon Single Crystalest presque impossible de réussir, ce qui est le consensus occidental.

Dans ce contexte, Lin a eu l'idée de \"Aspiration \", en utilisant de manière créative une pompe mécanique et une pompe à diffusion d'huile pour extraire le vide et utiliser le couvercle de protection des semences qu'elle a inventée aux États-Unis pour faire le processus. une période de recherche scientifique, à la fin de 1958, sous ses efforts, la première de la ChineSilicon Single Crystalest née! Le cylindre, 8 centimètres de long et 5,08 centimètres de diamètre, est comme une petite torche, allumant l'espoir du développement de l'industrie semi-conductrice de la Chine.La est également devenue le pays tiers au monde, après les États-Unis et l'Union soviétique , produireSilicon à un seul cristalindépendamment.

Cependant, celamonocristalest fait par le four qui produitmonocristaldu germanium. En raison de la limitation des conditions d'équipement, l'intégrité cristalline est médiocre et la densité de dislocation est grande.Le dit \"dislocation \" est lorsque les atomes sont disposés dans une ligne irrégulière et le premier est perdu et le courant en passant à travers la ligne est confus.Don l'ordre de produire une disposition sans dispositionSilicon Single CrystalIl est nécessaire d'avoir un four à cristaux de silicium avec une conception raisonnable et une haute qualité. Pour cette raison, Lining Lany a également inspecté le four à cristal de silicium fermé de l'Union soviétique. Après plusieurs mois de tests, il a constaté que l'équipement de \"Big Brother \" avait également des défauts difficiles à compenser, alors il a décidé de le développer séparément.

En 1961, la première porte ouverteSilicon Single CrystalLa fournaise a été fabriquée avec succès en Chine, qui a résolu le problème de \"ouvrant la porte et maintenant degré de vide élevé dans la fournaise \". En 1962, le travail de contrôle formel a commencé, la première dislocation de la Chine - GratuitSilicon Single Crystala été attiré avec succès, la qualité de ses produits a atteint le niveau avancé mondial après avoir testé.À la même époque, ce «méritoire Furnace \» a également remporté le récompense National New Product, et la prochaine année de l'industrie internationale de Tokyo, Ensuite, la production de masse, exportée vers de nombreux pays.In 1962, LANYING a préparé avec succès le monocristal de GaAs par la méthode de croissance horizontale de Bridgman. GaaS est le matériau semi-conducteur de deuxième génération, qui est très important.Durant cette période, Lanying a tourné son attention sur le développement desiliciummatériaux épitaxiaux.Il est un matériau avec deux couches deSilicon Single Crystalstructure, qui est d'une grande importance stratégique. À la base deSilicon à un seul cristal, elle a réussi à nouveau. Quel nouveau nouveausiliciumappareils faits de cetteMatériau épitaxial en siliciumrendre des instruments de mesure des radar, de la radio et de la télédétection militaire plus précis et fiable.La vaut la peine de mentionner que ce matériau a joué un rôle important dans la construction de la première bombe atomique. Par conséquent, Lanying est devenu l'un des scientifiques qui ont apporté des contributions importantes à la \"Deux bombes et un satellite \".

Dans la deuxième année après que Lanying se développait avec succèsSilicon Single Crystal, en septembre 1959, l'atelier de Silicon Semiconductor de 718 plantes (usine conjointe de matériel radio de Chine du Nord) a également retiré avec succès le premierSilicon Single CrystalDans l'industrie des semi-conducteurs de la Chine.Dans cette année-là, Zhou Fengming, directeur de l'usine de tube électronique de Beijing, a accepté la tâche de développerSilicon Single CrystalComme requis par Beijing et fabriqué le four en fonction du plan de four à dessin, il a ramené et commença à développer des matériaux de silicium et des dispositifs de silicium (il a essayé de produire une triode en alliage de silicium) .Durant cette période, l'usine de tubes électroniques de Beijing avait 200 employés engagés Dans la production semi-conductrice, avec une production annuelle de près d'un million de diodes et 30 000 triodes, et tous les composants et composants de germanium ont été produits par nous-mêmes.