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22398-80-7
Inp
491500PD
99,9999%
- 100 mesh
244-959-5
Caractéristique
Le phosphure d'indium (INP) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. Il a une structure cristalline cubique cubique centrée sur le visage (\"zincblende \"), identique à celle de GaAs et la plupart des semi-conducteurs III-V.
Formule chimique: INP
Molaire Mass: 145,792 g / mol
Apparence: cristaux cubes noirs
Densité: 4,81 g / cm3, solide
Point de fusion: 1,062 ° C (1 944 ° F; 1 335 K)
Solubilité: légèrement soluble dans les acides [1]
Gap de bande: 1.344 EV (300 K; Direct)
Mobilité électronique: 5400 cm2 / (v · s) (300 K)
Conductivité thermique: 0,68 W / (cm · k) (300 K)
Indice de réfraction (ND): 3.1 (infrarouge);
3.55 (632,8 nm)
Structure en cristal: Blanc de zinc
Application
INP est utilisé dans l'électronique à haute puissance et à haute fréquence en raison de sa vitesse d'électron supérieure par rapport au silicium de silicium et de gallium plus couramment des semi-conducteurs.
Il a été utilisé avec l'arsénide d'Indium Gallium pour créer un transistor bipolaire hétérojonctionnement pseudomorphique qui pourrait fonctionner à 604 GHz.
Il a également un bandage direct, ce qui la rend utile pour les appareils optoélectroniques comme des diodes laser.
INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs opto-électroniques à base d'arsénide d'apparition d'indium épitaxial.
Caractéristique
Le phosphure d'indium (INP) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. Il a une structure cristalline cubique cubique centrée sur le visage (\"zincblende \"), identique à celle de GaAs et la plupart des semi-conducteurs III-V.
Formule chimique: INP
Molaire Mass: 145,792 g / mol
Apparence: cristaux cubes noirs
Densité: 4,81 g / cm3, solide
Point de fusion: 1,062 ° C (1 944 ° F; 1 335 K)
Solubilité: légèrement soluble dans les acides [1]
Gap de bande: 1.344 EV (300 K; Direct)
Mobilité électronique: 5400 cm2 / (v · s) (300 K)
Conductivité thermique: 0,68 W / (cm · k) (300 K)
Indice de réfraction (ND): 3.1 (infrarouge);
3.55 (632,8 nm)
Structure en cristal: Blanc de zinc
Application
INP est utilisé dans l'électronique à haute puissance et à haute fréquence en raison de sa vitesse d'électron supérieure par rapport au silicium de silicium et de gallium plus couramment des semi-conducteurs.
Il a été utilisé avec l'arsénide d'Indium Gallium pour créer un transistor bipolaire hétérojonctionnement pseudomorphique qui pourrait fonctionner à 604 GHz.
Il a également un bandage direct, ce qui la rend utile pour les appareils optoélectroniques comme des diodes laser.
INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs opto-électroniques à base d'arsénide d'apparition d'indium épitaxial.
