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22831-42-1
Hélas
133300PD
99,5%
- 20 mailles env, 200 mailles
245-255-0
UN1394
Caractéristique
L'arsénide en aluminium ou l'arsénide en aluminium (hélas) est un matériau semi-conducteur avec presque le même réseau constant que l'arséniure de gallium et l'arséniure de gallium en aluminium et un espace de bande plus large que l'arsénide de gallium.
Formule chimique: hélas
Molaire Mass: 101.9031 g / mol
Apparence: cristaux d'orange
Densité: 3,72 g / cm3
Point de fusion: 1 740 ° C (3 160 ° F; 2,010 K)
Solubilité dans l'eau: réagit
Solubilité: réagit dans l'éthanol
Gap de bande: 2.12 EV (indirect)
Mobilité électronique: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Conductivité thermique: 0,9 W / (cm · k) (300 K)
Indice de réfraction (ND): 3 (infrarouge)
Application
L'arsénide en aluminium est un matériau semi-conducteur composé III-V et est un matériau avantageux pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques, tels que des diodes électroluminescentes.
L'arsénide en aluminium peut être préparé à l'aide de méthodes bien connues, telles que des techniques d'épitaxie liquide et de phase de vapeur ou des techniques de croissance de la fusion. Cependant, les cristaux d'arsénide en aluminium préparés par ces méthodes sont généralement instables et génèrent une arsine (cendres3) lorsque exposé à l'air humide.
L'arsénide en aluminium peut être préparé à l'aide de méthodes bien connues, telles que des techniques d'épitaxie liquide et de phase de vapeur ou des techniques de croissance de la fusion. Cependant, les cristaux d'arsénide en aluminium préparés par ces méthodes sont généralement instables et génèrent une arsine (cendres3) lorsque exposé à l'air humide.
Caractéristique
L'arsénide en aluminium ou l'arsénide en aluminium (hélas) est un matériau semi-conducteur avec presque le même réseau constant que l'arséniure de gallium et l'arséniure de gallium en aluminium et un espace de bande plus large que l'arsénide de gallium.
Formule chimique: hélas
Molaire Mass: 101.9031 g / mol
Apparence: cristaux d'orange
Densité: 3,72 g / cm3
Point de fusion: 1 740 ° C (3 160 ° F; 2,010 K)
Solubilité dans l'eau: réagit
Solubilité: réagit dans l'éthanol
Gap de bande: 2.12 EV (indirect)
Mobilité électronique: 200 cm2 / (v · s) (300 K)
Conductivité thermique: 0,9 W / (cm · k) (300 K)
Indice de réfraction (ND): 3 (infrarouge)
Application
L'arsénide en aluminium est un matériau semi-conducteur composé III-V et est un matériau avantageux pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques, tels que des diodes électroluminescentes.
L'arsénide en aluminium peut être préparé à l'aide de méthodes bien connues, telles que des techniques d'épitaxie liquide et de phase de vapeur ou des techniques de croissance de la fusion. Cependant, les cristaux d'arsénide en aluminium préparés par ces méthodes sont généralement instables et génèrent une arsine (cendres3) lorsque exposé à l'air humide.
L'arsénide en aluminium peut être préparé à l'aide de méthodes bien connues, telles que des techniques d'épitaxie liquide et de phase de vapeur ou des techniques de croissance de la fusion. Cependant, les cristaux d'arsénide en aluminium préparés par ces méthodes sont généralement instables et génèrent une arsine (cendres3) lorsque exposé à l'air humide.
